Diodin toimintaperiaate (eteenpäin johtavuus, käänteinen ei--johtavuus)
Kidodiodi on ap-n-liitos, jonka muodostavat p--tyypin ja n--tyypin puolijohteet. Avaruusvarauskerros muodostuu rajapinnan molemmille puolille, ja sisäänrakennettu -sähkökenttä muodostuu. Kun ulkoista jännitettä ei käytetä, p-n-liitoksessa olevan kantoaallon pitoisuuseron aiheuttama diffuusiovirta ja sisäänrakennetun-sähkökentän aiheuttama poikkeamavirta ovat yhtä suuret, mikä johtaa sähköiseen tasapainotilaan. Käytettäessä eteenpäin suuntautuvaa esijännitettä, ulkoisen sähkökentän ja sisäänrakennetun -sähkökentän välinen keskinäinen kumoamisvaikutus lisää kantoaaltojen diffuusiovirtaa aiheuttaen myötävirtaa (johtavuuden syy). Kun käytetään käänteistä biasointia, ulkoinen sähkökenttä ja sisäänrakennettu
Kun käytetty käänteinen jännite on riittävän korkea, sähkökentän voimakkuus p-n-liitoksen tilavarauskerroksessa saavuttaa kriittisen arvon, mikä aiheuttaa kantoaallon moninkertaistumisprosessin, synnyttää suuren määrän elektroni-reikäpareja ja tuottaa erittäin suuren käänteisen läpilyöntivirran, joka tunnetaan nimellä diodin läpilyönti.
